Wafer의 Edge 표면에 도포된 PR을 UV광선에 노출시킴으로써 PR을
제거할 목적으로 사용된다.

특히, ArF용 PR에 대응하기 위하여 광효율을 증대 시키고 최소의 Overhead Time을 구현하였다.
 
◈ 최소의 Overhead Time 구현 2Unit의 1Box화로 Foot ◈ Print 최소화 광효율을 높이기 위한 직광 구조 구현 ◈ Auto Teaching Function 강화
 
 
Item Specifications
Dimension   300(W)x456(D)x510(H)
Wafer Size   300mm Notch
Exposure Mode   Round, Linear
Wavelength   ArF PR, DUV PR, I-Line PR
Exposure Width   0.5 ~ 10 mm
Resist Slope   ≤ 5μm
Throughput   Round : 180 Wfs/Hr X 2Unit
  Round + Linear : 150 Wfs/Hr X 2Unit
Exposure Accuracy   Centering : ± 0.03mm
  Angle : ± 0.03˚
Utility   Power : 220VAC, 1 φ , 50/60 Hz
  Vacuum Pressure : ≥ 600 mmHg
  Air Pressure : ≥ 4 Bar