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Wafer의 Edge 표면에 도포된 PR을 UV광선에 노출시킴으로써
PR을
제거할 목적으로 사용된다.
특히, ArF용 PR에 대응하기 위하여 광효율을 증대 시키고 최소의 Overhead Time을
구현하였다. |
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| ◈ 최소의 Overhead Time 구현
2Unit의 1Box화로
Foot ◈ Print 최소화
광효율을 높이기 위한 직광 구조 구현
◈ Auto Teaching
Function 강화
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| Item |
Specifications |
| Dimension |
300(W)x456(D)x510(H) |
| Wafer Size |
300mm Notch |
| Exposure Mode |
Round, Linear |
| Wavelength |
ArF PR, DUV PR, I-Line PR |
| Exposure Width |
0.5 ~ 10 mm |
| Resist Slope |
≤ 5μm |
| Throughput |
Round : 180 Wfs/Hr X 2Unit
Round + Linear : 150 Wfs/Hr X 2Unit
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| Exposure Accuracy |
Centering : ± 0.03mm
Angle : ± 0.03˚
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| Utility |
Power : 220VAC, 1 φ , 50/60 Hz
Vacuum Pressure : ≥ 600 mmHg
Air Pressure : ≥ 4 Bar
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